| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P2T0GW |
| Tipo | – SSD |
| Capacidad | – 2 TB |
| Formato | – M.2 2280 |
| Conexión | – PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| Rendimiento | – Lectura secuencial: 7,450 MB/s – Escritura secuencial: 6,900 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS – Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS |
| Características | – Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC – Controller: Samsung in-house Controller – Memoria caché: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM – Soporte TRIM – Soporte S.M.A.R.T – GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm – Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) – Soporte Modo Suspensión en dispositivo Entorno – Consumo energético medio: 5.5- 8.5 W – Consumo energético (Idle): Max. 55 mW – Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % – Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF) – Temperatura: 0 – 70ºC – Golpes: 1,500 G & 0.5 ms Dimensiones y peso – 80 x 24.3 x 8.2 mm – Max. 28,0 g |
| Fecha de revisión | 12-12-2024 por RTY |
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Almacenamiento interno, Discos sólidos, Dispositivos
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